اصول و مباني ترميستورها: ترميستور از مواد نيمه هادي ساخته مي شود. ترميستور از اكسيد فلزاتي چون منگنز، نيكل، كبالت، مس و يا آهن همراه با سيليكون ساخته مي گردد. رنج دماي آن 50- تا 150 و نهايت 300 درجه سانتيگراد مي باشد. در بيشتر مصارف مقاومت آن در دماي 25 درجه سانتيگراد( در RTD مقاومت آن نسبت به صفر درجه محاسبه مي شد در ترميستورها نسبت به 25 درجه سانتيگراد محاسبه مي شود.) بين 100 تا 100كيلو اهم مي باشد. البته ترميستورهايي با مقاومت اوليه پايين تر از 10اهم و بالاتر از 40مگا اهم نيز استفاده مي شود. ترميستورها به دو نوع تقسيم مي شوند(Negative Temperature Coefficient NTC كه با افزايش دما مقاومت آن كاهش مي يابد و(Positive Temperature Coefficient) PTC كه با افزايش دما مقاومت آن كاهش مي يابد. ترميستور نوع NTC حساسيت 3- % تا 6- دارد كه در مقايسه با RTD خيلي بالاتر است كه باعث گشته سيگنال پاسخ بهتري نسبت به ترموكوپل و RTD داشته باشد، از جهت ديگر حساسيت پايين RTD و ترموكوپل آنها را انتخاب خوبي براي دماهاي بيش از 260 درجه سانتيگراد كرده است و اين محدوديتي براي ترميستور است. در سال 1833 ميشل فاراده فيزيكدان و شيمي دان انگليسي گزارشي در مورد رفتار نيمه هادي سولفيد نقره داد، كه اين جرقه اوليه پيدايش ترميستور بود. به خاطر محدوديتي كه ترميستور در سختي توليد و كاربرد در صنعت داشت توليد تجاري و استفاده از آن تا صد سال بعد انجام نشد و از سال 1980 استفاده از ترميستور به صورت گسترده شروع شد. مدار بهسازي براي تبديل مقاومت ترميستور به ولتاژ مي توان از مدار پل استفاده نمود ولي به دليل مشخصه غير خطي ترميستور، خطاي غير خطي مدار پل تاثير مي گذارد كه در صورت استفاده از مدار پل بايد اين موضوع لحاظ شود. روش ديگر استفاده از مدار تقسيم ولتاژ است.كه به دليل مقاومت زياد ترميستور راه حل مناسبي مي باشد. روش ديگر استفاده از مدار زير است.ميكروكنترلر PIC12C508 كه توضيح داده مي شود. روش ديگر استفاده از مدار پايين است كه روشي مشابه تقسيم ولتاژ مي باشد. در اين روش OP. Amp با نسبت مقاومت ترميستور به Rs ولتاژ خروجي را توليد مي كند. يك كار ديگر استفاده از مدار مجتمع AD7711 است كه يك A/D مي باشد. روش ديگر استفاده از مداري با IC ، AD7705 مي باشد.